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NXP Semiconductors PMXB350UPEZ

Fabricant Numéro d'article : PMXB350UPEZ
Fabricant : NXP Semiconductors
Description : MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Statut sans plomb / Statut RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : PMXB350UPEZ.PDF PMXB350UPEZ PDF
Download Datasheet : PMXB350UPEZ Details.PDF PMXB350UPEZ PDF
EDA / CAD Models : PMXB350UPEZ by SnapEDA
Quantité:
287 295 2098126 http://www.nxp.com/documents/data_sheet/PMXB350UPE.pdf NXP-Semiconductors/PMXB350UPEZ 2098126

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Technical Parameters of PMXB350UPEZ

Series:-
FET Type:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature:Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:447 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:950mV @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:116pF @ 10V
Power - Max:360mW
Operating Temperature:-55~C ~ 150~C (TJ)
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:3-XDFN Exposed Pad
Supplier Device Package:DFN1010D-3

détails du produit

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