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STMicroelectronics PD20015S-E

Fabricant Numéro d'article : PD20015S-E
Fabricant : STMicroelectronics
Description : TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Statut sans plomb / Statut RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : PD20015S-E.PDF PD20015S-E PDF
EDA / CAD Models : PD20015S-E by SnapEDA
Quantité:
287 303 2109272 /Datasheets/Discrete Semiconductor Products/en.CD00173496.pdf STMicroelectronics/PD20015S-E 2109272

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Technical Parameters of PD20015S-E

Series:-
Transistor Type:LDMOS
Frequency:2GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):11dB
Frequency - Transition:13.6V
Gain:7A
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Voltage - Test:350mA
Current Rating:15W
Noise Figure:40V
Power - Max:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current - Test:PowerSO-10RF (Straight Lead)

détails du produit

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