IGBT-k – az egy vagy egy szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok olyan teljesítményelektronikai eszközök, amelyeket gyakran használnak sokféle elektronikus berendezésben. Ezek a különálló félvezetők kulcsfontosságú komponensként szolgálnak a kapcsolási alkalmazásokban, ahol be- vagy kikapcsolhatják az elektromos áram áramlását. Fő funkciójuk az elektromos teljesítmény szabályozása a MOSFET-ek (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Tranzisztorok) egyszerű gate-drive karakterisztikájának és a bipoláris tranzisztorok nagyáramú és alacsony telítési feszültségű képességének kombinálásával. Egyedülálló szerkezetüknek köszönhetően többek között nagy bemeneti impedanciát, könnyű meghajtást, gyors kapcsolási sebességet és robusztusságot mutatnak.
IGBT - Single különösen alkalmas olyan alkalmazásokhoz, amelyek nagy feszültséget és nagy áramerősséget igényelnek, mint pl. tápegységként, inverterként a klímaberendezésekben és elektromos motoros meghajtóként. Ezek az eszközök más speciális alkalmazásokban is megtalálhatók, például megújuló energiarendszerekben, elektromos járművekben és vonatokban. Az IGBT - Single fő jellemzői közé tartozik a nagy hatékonyság, a kiváló hőteljesítmény és a magas frekvencián való munkaképesség. Számos gyártó, például az Infineon, az ON Semiconductor, az STMicroelectronics és a Toshiba specializálódott az IGBT – Single gyártására, amelyek széles választékát kínálják a különféle specifikációknak és működési követelményeknek való megfelelés érdekében.