RF FET

RF FET は、高周波電界効果トランジスタとしても知られ、いくつかの最新のエレクトロニクスにおいて極めて重要な役割を果たすディスクリート半導体デバイスの一種です。これらは電子回路内でスイッチまたは増幅器として機能し、電気的動作を制御します。電圧を使用して電流の流れを制御するこれらの製品は、ラジオやテレビから必須の通信機器に至るまで、さまざまなデバイスの機能に不可欠です。 RF FET の性質と精度により、Wi-Fi、無線通信デバイスの RF パワーアンプ、レーダー システム、衛星通信などの高周波アプリケーションに特に適しており、シームレスで安定した伝送が保証されます。

RF FET の主な特性には、優れた電圧制御を可能にする高い入力インピーダンスと、高い電力利得のおかげで歪みなく強い信号強度を処理できる能力が含まれます。 NXP Semiconductors、Infineon Technologies、Qorvo などのメーカーは、RF FET 製造において市場をリードしています。

画像
部品番号
メーカー
説明
問い合わせ
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2
IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2
IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
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