RF FET

RF FET は、高周波電界効果トランジスタとしても知られ、いくつかの最新のエレクトロニクスにおいて極めて重要な役割を果たすディスクリート半導体デバイスの一種です。これらは電子回路内でスイッチまたは増幅器として機能し、電気的動作を制御します。電圧を使用して電流の流れを制御するこれらの製品は、ラジオやテレビから必須の通信機器に至るまで、さまざまなデバイスの機能に不可欠です。 RF FET の性質と精度により、Wi-Fi、無線通信デバイスの RF パワーアンプ、レーダー システム、衛星通信などの高周波アプリケーションに特に適しており、シームレスで安定した伝送が保証されます。

RF FET の主な特性には、優れた電圧制御を可能にする高い入力インピーダンスと、高い電力利得のおかげで歪みなく強い信号強度を処理できる能力が含まれます。 NXP Semiconductors、Infineon Technologies、Qorvo などのメーカーは、RF FET 製造において市場をリードしています。

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MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2
FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2
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