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TO-263-7,%20D2Pak.jpg
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Infineon Technologies IPB009N03L G

제조사 부품 번호 : IPB009N03L G
제조사 : Infineon Technologies
설명 : MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
무연 상태/RoHS 상태 : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : IPB009N03L G.PDF IPB009N03L G PDF
Download Datasheet : IPB009N03L G Details.PDF IPB009N03L G PDF
EDA / CAD Models : IPB009N03L G by SnapEDA
287 295 6538453 http://www.infineon.com/dgdl/IPB009N03L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116d426b6770ca3 Infineon-Technologies/IPB009N03L-G 6538453
Series:OptiMOS?
FET Type:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss):30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:2.2V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:227nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:25000pF @ 15V
Power - Max:250W
Operating Temperature:-55~C ~ 175~C (TJ)
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Supplier Device Package:PG-TO263-7-3

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Technical Parameters of IPB009N03L G

Series:OptiMOS?
FET Type:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss):30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:2.2V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:227nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:25000pF @ 15V
Power - Max:250W
Operating Temperature:-55~C ~ 175~C (TJ)
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Supplier Device Package:PG-TO263-7-3

제품 세부 정보

We can supply Infineon Technologies part# IPB009N03L G, 견적 요청 양식을 사용하여 요청하십시오. IPB009N03L G pirce와 리드타임. Nantian Electronics - ntchip.com은 전자 부품의 독립 스타킹 유통업체입니다. 사용 가능한 전자 부품의 300만 개 이상의 라인 항목을 통해 짧은 리드 타임에 배송할 수 있으며 부품 번호를 포함할 수 있는 즉시 배송을 위해 재고가 있는 전자 부품의 300,000개 이상의 부품 번호가 있습니다. IPB009N03L G. 가격 및 리드 타임 IPB009N03L G 필요한 수량, 가용성 및 창고 위치에 따라 다릅니다. 오늘 저희에게 연락하시면 저희 영업 담당자가 부품 번호에 대한 가격과 납품을 알려드릴 것입니다. IPB009N03L G. 우리는 당신과 함께 사업을 할 수 있기를 기대합니다.

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