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FET - 어레이

FET - 어레이 또는 어레이의 전계 효과 트랜지스터는 개별 반도체 제품의 한 유형입니다. 이는 전자 장치의 중요한 구성 요소로 기능하여 장치의 전기적 동작을 제어합니다. FET 어레이의 주요 기능은 회로의 전류와 전압 흐름을 조절하여 장치가 효과적으로 작동할 수 있도록 하는 것입니다. 각 어레이는 여러 개의 FET로 구성될 수 있으며 특정 애플리케이션의 요구 사항에 따라 구성을 특별히 설계할 수 있습니다. 이러한 제품은 신호 처리, 전압 조정, 신호 증폭 또는 스위칭 장치 등의 특정 응용 분야용으로 설계되어 최적의 성능과 효율성을 보장합니다.

FET - 어레이는 일반적으로 다음과 같은 다양한 산업에서 사용됩니다. 신뢰성, 높은 입력 임피던스 및 낮은 잡음 특성으로 인해 소비자 전자 제품 및 통신 장치에서 재생 에너지 시스템 및 자동차 전자 장치에 이르기까지 다양합니다. FET(어레이)의 주요 제조업체로는 Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies, NXP Semiconductors 등 세계적으로 유명한 반도체 회사가 있습니다.

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설명
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MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
RFQ
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
RFQ
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
RFQ
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
RFQ
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
RFQ
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
RFQ
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
RFQ
MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE
RFQ
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
RFQ
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
RFQ
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
RFQ
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
RFQ
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
RFQ
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
RFQ
 
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