FET - 어레이

FET - 어레이 또는 어레이의 전계 효과 트랜지스터는 개별 반도체 제품의 한 유형입니다. 이는 전자 장치의 중요한 구성 요소로 기능하여 장치의 전기적 동작을 제어합니다. FET 어레이의 주요 기능은 회로의 전류와 전압 흐름을 조절하여 장치가 효과적으로 작동할 수 있도록 하는 것입니다. 각 어레이는 여러 개의 FET로 구성될 수 있으며 특정 애플리케이션의 요구 사항에 따라 구성을 특별히 설계할 수 있습니다. 이러한 제품은 신호 처리, 전압 조정, 신호 증폭 또는 스위칭 장치 등의 특정 응용 분야용으로 설계되어 최적의 성능과 효율성을 보장합니다.

FET - 어레이는 일반적으로 다음과 같은 다양한 산업에서 사용됩니다. 신뢰성, 높은 입력 임피던스 및 낮은 잡음 특성으로 인해 소비자 전자 제품 및 통신 장치에서 재생 에너지 시스템 및 자동차 전자 장치에 이르기까지 다양합니다. FET(어레이)의 주요 제조업체로는 Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies, NXP Semiconductors 등 세계적으로 유명한 반도체 회사가 있습니다.

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8
RFQ
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A ECH8
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
RFQ
MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
RFQ
SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
RFQ
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 24A/42A 8DFN
RFQ
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
RFQ
MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
RFQ
MOSFET 2N-CH 25V 15A/45A WPAK
RFQ
MOSFET 2N-CH 25V 15A/40A WPAK
RFQ
MOSFET 2N-CH 25V 15A/32A WPAK
RFQ
MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
RFQ
MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
RFQ
 
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