FET - 어레이

FET - 어레이 또는 어레이의 전계 효과 트랜지스터는 개별 반도체 제품의 한 유형입니다. 이는 전자 장치의 중요한 구성 요소로 기능하여 장치의 전기적 동작을 제어합니다. FET 어레이의 주요 기능은 회로의 전류와 전압 흐름을 조절하여 장치가 효과적으로 작동할 수 있도록 하는 것입니다. 각 어레이는 여러 개의 FET로 구성될 수 있으며 특정 애플리케이션의 요구 사항에 따라 구성을 특별히 설계할 수 있습니다. 이러한 제품은 신호 처리, 전압 조정, 신호 증폭 또는 스위칭 장치 등의 특정 응용 분야용으로 설계되어 최적의 성능과 효율성을 보장합니다.

FET - 어레이는 일반적으로 다음과 같은 다양한 산업에서 사용됩니다. 신뢰성, 높은 입력 임피던스 및 낮은 잡음 특성으로 인해 소비자 전자 제품 및 통신 장치에서 재생 에너지 시스템 및 자동차 전자 장치에 이르기까지 다양합니다. FET(어레이)의 주요 제조업체로는 Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies, NXP Semiconductors 등 세계적으로 유명한 반도체 회사가 있습니다.

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MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
RFQ
MOSFET 2P-CH 6-WLCSP
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET
RFQ
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V POWER56
RFQ
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
RFQ
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT
RFQ
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
RFQ
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
RFQ
MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
RFQ
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
RFQ
 
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