트랜지스터 - FET, MOSFET - RF

트랜지스터 - FET, MOSFET - RF는 일반적으로 무선 주파수(RF) 애플리케이션에서 발견되는 고주파 신호를 처리하도록 설계된 특수 전자 부품입니다. 이러한 트랜지스터는 전기장을 사용하여 반도체 소재의 '채널'의 모양과 전도성을 제어함으로써 작동하여 전자 신호를 증폭하거나 전환할 수 있습니다. RF MOSFET의 주요 기능은 수 메가헤르츠에서 수 기가헤르츠에 이르는 무선 주파수 스펙트럼에서 작동하는 장치의 신호를 변조, 증폭 및 전환하는 것입니다. 빠른 스위칭 속도와 높은 효율성으로 인해 무선 통신, 레이더 시스템, 방송 송신기 및 RF 전력 증폭기에 이상적입니다.

이 트랜지스터는 전력 손실을 최소화하고 고주파수에서 작동할 수 있는 능력이 특징입니다. 높은 입력 임피던스로 인해 입력 신호에 매우 민감합니다. 또한 높은 효율성을 제공하는데 이는 전력 보존이 필수적인 RF 애플리케이션에 매우 중요합니다. RF MOSFET의 주요 용도는 셀룰러 및 위성 통신, 안전하고 안정적인 통신을 위한 군용 장비, 라디오 및 GPS 장치와 같은 가전제품, 원격 감지 및 원격 측정을 위한 산업용 애플리케이션을 구현하는 데 중추적인 역할을 하는 통신을 비롯한 다양한 분야에 걸쳐 있습니다. 주목할만한 트랜지스터(FET, MOSFET, RF) 제조업체로는 Infineon, NXP Semiconductors, Cree(Wolfspeed), Analog Devices Inc. 및 Qorvo가 있습니다.

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제조사
설명
문의
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-2
RFQ
RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C
RFQ
RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
RFQ
BPS9G2933X-450/SOT502/TRAY
RFQ
FET RF N-CH 150V 2.9GHZ 55-QP
RFQ
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A
RFQ
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
RFQ
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A
RFQ
FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
RFQ
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
RFQ
FET RF 68V 2.4GHZ NI-780
RFQ
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4
RFQ
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
RFQ
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230
RFQ
FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
RFQ
RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
RFQ
FET RF 65V 1.93GHZ NI780
RFQ
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232
RFQ
FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230S
RFQ
TRANS RF 230W ACC-6
RFQ
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
RFQ
FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2
RFQ
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F
RFQ
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521
RFQ
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
RFQ
 
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