IGBT (izoliuotų vartų dvipoliai tranzistoriai) – matricos yra galios puslaidininkių įtaisų asortimentas, kurie yra svarbūs komponentai daugelyje elektroninių sistemų. Šie įrenginiai daugiausia naudojami elektros energijai perjungti masyvo konfigūracija, užtikrinanti didelį efektyvumą ir greitą perjungimą. Unikali IGBT struktūra leidžia jiems sujungti aukštos įtampos bipolinių tranzistorių ir MOSFET pranašumus, siūlydami mažus galios nuostolius ir didelį perjungimo greitį. Šie įrenginiai tinka įvairioms programoms, įskaitant variklius, maitinimo blokus ir atsinaujinančios energijos sistemas. Jie yra specialiai sukurti taip, kad būtų galima valdyti didelius galios lygius ir efektyviai greitai įsijungti ir išjungti, o tai užtikrina aukštą įtampą ir geresnį energijos vartojimo efektyvumą.
IGBT – masyvai gali būti naudojami įvairiai, atsižvelgiant į jiems būdingas didelės įvesties varžos charakteristikas, mažas įtampos kritimas įjungus būseną ir greitas perjungimas. Pramonėje jie dažnai naudojami kintamo dažnio pavaroms, indukciniam šildymui, magnetinei levitacijai ir bėgių traukai ir kitiems tikslams. Kai kurie žinomi IGBT – Arrays gamintojai yra „Infineon“, „Toshiba“, „Mitsubishi Electric“, „ON Semiconductor“ ir „Texas Instruments“. IGBT – masyvai pasižymi savo tvirtumu, ilgaamžiškumu ir efektyvumu, todėl jie yra būtini didelės galios elektroninėse sistemose.