Een Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is een halfgeleiderapparaat dat veel wordt gebruikt in de vermogenselektronica. Het combineert de eenvoudige gate-drive-karakteristieken van MOSFET's met de hoge stroom- en lage verzadigingsspanningsmogelijkheden van bipolaire transistors. IGBT's worden voornamelijk gebruikt om de elektrische stroom in veel moderne apparaten om te schakelen, van elektrische auto's tot airconditioners, waarbij efficiënte energieconversie cruciaal is. Ze hebben de voorkeur vanwege hun vermogen om hoge spanningen en stromen te verwerken met een relatief laag poortaandrijfvermogen.
De belangrijkste toepassingen van IGBT's zijn onder meer aandrijvingen met variabele frequentie (VFD's), motorcontrollers voor elektrische voertuigen en omvormers voor hernieuwbare energie. , vooral in zonne- en windenergiesystemen. Ze worden gewaardeerd om hun efficiëntie, die helpt bij het minimaliseren van de warmteontwikkeling en het verbeteren van de betrouwbaarheid van elektronische systemen. De belangrijkste kenmerken zijn onder meer hoge efficiëntie, robuustheid en de mogelijkheid om op hoge frequenties te werken. Prominente fabrikanten van IGBT's zijn onder meer Infineon, Toshiba en Fuji Electric.