Transistors - Bipolair (BJT) - RF zijn een klasse halfgeleiderapparaten die gespecialiseerd zijn in radiofrequentietoepassingen (RF). Deze componenten zijn in wezen elektronische schakelaars of versterkers die hoogfrequente signalen, die de basis vormen van moderne communicatiesystemen, efficiënt kunnen controleren en moduleren. Hun kernfunctie is het versterken van de kracht van RF-signalen, waardoor ze sterk genoeg worden om gegevens over lange afstanden te verzenden zonder aanzienlijk informatieverlies. Vanwege hun hoogfrequente werking en het vermogen om vermogens te verwerken die groter zijn dan andere typen transistors, zijn ze van cruciaal belang bij uitzendingen, draadloze communicatie en verschillende vormen van radar- en navigatiesystemen.
De belangrijkste toepassingen van bipolaire RF junctie-transistors (BJT's) spelen een rol in versterkers in mobiele telefoons, satellietcommunicatie en radiozendontvangers. Ze worden gewaardeerd vanwege hun vermogen om hoge versterking, lage ruis en hoge schakelsnelheden te bieden die nodig zijn voor het handhaven van de signaalintegriteit in deze toepassingen. Belangrijke kenmerken zoals hoge lineariteit (waardoor signalen worden versterkt zonder vervorming) en thermische stabiliteit, waardoor het apparaat over een breed temperatuurbereik functioneel blijft, onderstrepen hun robuuste prestaties in uitdagende omgevingen. Verschillende fabrikanten die bekend staan om hun productie van Transistors - Bipolar (BJT) - RF zijn onder meer NXP Semiconductors, Infineon Technologies, Microsemi Corporation en STMicroelectronics.