Транзисторы – IGBT – Массивы — это специализированные электронные компоненты, которые объединяют эффективность биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) в интегрированные массивы. Матрица IGBT эффективно переключает и усиливает электронные сигналы, используя преимущества как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов (FET). Они предназначены для работы с широким диапазоном напряжений и широко используются в силовой электронике благодаря своей высокой эффективности и возможности быстрого переключения. Основные функции включают модуляцию электрической мощности, усиление сигнала и работу в качестве электронного переключателя во множестве устройств.
Основное применение матриц IGBT охватывает различные приложения высокой мощности, такие как индукционный нагрев, электрические моторные приводы и инверторы для возобновляемых источников энергии, включая солнечную и ветровую энергию. Эти компоненты известны своей высокой энергоэффективностью, долговечностью и способностью эффективно работать в условиях высокоскоростной коммутации. Благодаря своим надежным характеристикам, матрицы IGBT играют центральную роль в функционировании современных электронных устройств, требующих высокой мощности и точности. Среди известных производителей транзисторов (IGBT) — матриц Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics и Toshiba, каждая из которых известна своим качеством и инновациями в области силовых полупроводников.