Transistory – IGBT – Moduly sú pokročilé elektronické komponenty používané na efektívne spínanie a zosilňovanie elektrickej energie v širokej škále aplikácií. IGBT, čo je skratka pre Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom, je typ výkonového tranzistora, ktorý kombinuje jednoduchosť tranzistora s efektom poľa (FET) so schopnosťou bipolárneho tranzistora s vysokým prúdom a nízkym saturačným napätím. Modul IGBT je integrovaná jednotka, ktorá obsahuje IGBT, ako aj voľnobežné diódy, ktoré sú nevyhnutné pre výkon a spoľahlivosť. Tieto moduly fungujú hlavne na efektívne riadenie a premenu elektrickej energie v elektrických vozidlách, priemyselných motoroch, energetických sieťach a systémoch obnoviteľnej energie, ako sú invertory pre solárne panely.
Hlavné vlastnosti tranzistorov – IGBT – modulov zahŕňajú vysokú účinnosť , vysoké rýchlosti spínania a schopnosť zvládnuť veľké napätia a prúdy. Tieto atribúty ich robia rozhodujúcimi v aplikáciách, ktoré vyžadujú vysokú hustotu výkonu a energetickú účinnosť, ako napríklad v elektromobiloch, kde riadia elektrickú energiu medzi batériou a motorom. Vysoká spínacia frekvencia umožňuje aj kompaktné a ľahké konštrukcie výkonovej elektroniky. Medzi renomovaných výrobcov tranzistorov – IGBT – modulov patria okrem iného Infineon Technologies, Fuji Electric, ON Semiconductor a Mitsubishi Electric.
