Bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati (IGBT) je polprevodniška naprava, ki se pogosto uporablja v močnostni elektroniki. Združuje enostavne značilnosti pogona vrat MOSFET-jev z zmožnostjo visokega toka in nizke nasičene napetosti bipolarnih tranzistorjev. IGBT-ji se uporabljajo predvsem za preklapljanje električne energije v številnih sodobnih napravah, od električnih avtomobilov do klimatskih naprav, kjer je učinkovita pretvorba energije ključnega pomena. Priljubljeni so zaradi svoje sposobnosti obvladovanja visokih napetosti in tokov z relativno nizko močjo pogona vrat.
Glavne uporabe IGBT vključujejo pogone s spremenljivo frekvenco (VFD), krmilnike motorjev za električna vozila in pretvornike obnovljive energije , zlasti v sistemih sončne in vetrne energije. Cenjeni so zaradi svoje učinkovitosti, ki pomaga zmanjšati nastajanje toplote in povečati zanesljivost elektronskih sistemov. Ključne značilnosti vključujejo visoko učinkovitost, robustnost in sposobnost delovanja pri visokih frekvencah. Ugledni proizvajalci IGBT so Infineon, Toshiba in Fuji Electric.