General Semiconductor/Vishay

GeneSiC Semiconductor ist ein führender Innovator in der Welt der Leistungshalbleiter auf Siliziumkarbid-Basis (SiC). Das Unternehmen wurde 2004 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Fairfax, Virginia, USA. Die Gründung des Unternehmens war ein bedeutender Meilenstein in der Technologiebranche und läutete die Ära der Halbleiter auf Siliziumkarbidbasis ein, die seitdem zahlreiche Sektoren mit ihren überlegenen Leistungsmerkmalen im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumhalbleitern revolutioniert haben.

Bei seiner Gründung GeneSiC Semiconductor konzentrierte sich auf die Entwicklung hochwertiger, zuverlässiger und technologisch fortschrittlicher Leistungshalbleiter. Im Laufe der Jahre hat das Unternehmen sein Produktportfolio erheblich erweitert. Mittlerweile bietet das Unternehmen ein umfangreiches Sortiment an Geräten an, darunter Schottky-Dioden, Thyristoren und siliziumgesteuerte Gleichrichter (SCRs). Jede dieser Produktkategorien repräsentiert die neueste Halbleitertechnologie und ist darauf ausgelegt, den sich wandelnden Anforderungen der Leistungselektronikindustrie gerecht zu werden. Von der Luft- und Raumfahrt bis hin zu Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien werden die Lösungen von GeneSiC dynamisch entwickelt, um außergewöhnliche Ergebnisse in verschiedenen Bereichen zu liefern.

• Schottky-Dioden: Diese sind für ihre hohe Effizienz und ihr schnelles Schalten bekannt Geschwindigkeit. Sie werden häufig in Stromversorgungs- und Umwandlungsanwendungen eingesetzt.
• Thyristoren: Thyristoren sind Halbleiterschalter, die für ihre Fähigkeit bekannt sind, hohe Spannungs- und Stromstärken zu bewältigen. Sie finden ihren Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen der Leistungselektronik.
• Siliziumgesteuerte Gleichrichter (SCRs): SCRs sind PNPN-Geräte mit drei Anschlüssen, die hauptsächlich zur Steuerung und Gleichrichtung von Leistung verwendet werden. Sie werden überwiegend in Motorsteuerungs- und Leistungsschaltsystemen eingesetzt.