FETs – Arrays

FETs – Arrays oder Feldeffekttransistoren in Arrays sind eine Art diskretes Halbleiterprodukt. Sie fungieren als entscheidende Komponente in elektronischen Geräten und steuern das elektrische Verhalten der Geräte. Die Hauptfunktion eines FET-Arrays besteht darin, den Strom- und Spannungsfluss in einem Stromkreis zu regulieren und so einen effektiven Betrieb des Geräts zu ermöglichen. Jedes Array kann aus mehreren FETs bestehen und die Konfiguration kann speziell auf die Anforderungen einer bestimmten Anwendung zugeschnitten werden. Diese Produkte sind für spezifische Anwendungen wie Signalverarbeitung, Spannungsregelung, Signalverstärkung oder als Schaltgeräte konzipiert und tragen dazu bei, optimale Leistung und Effizienz zu gewährleisten.

FETs – Arrays werden häufig in einer Vielzahl von Branchen verwendet, von Aufgrund ihrer Zuverlässigkeit, hohen Eingangsimpedanz und geringen Rauscheigenschaften eignen sie sich für Unterhaltungselektronik und Kommunikationsgeräte bis hin zu erneuerbaren Energiesystemen und Automobilelektronik. Zu den größten Herstellern von FETs-Arrays gehören weltweit bekannte Halbleiterunternehmen wie Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies und NXP Semiconductors.

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MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56
MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56
MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK
MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
MOSFET N/P-CH 30V SOT363
MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523
MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
MOSFET 2N-CH 60V 0.24A 6TSSOP
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
 
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