FETs – Arrays

FETs – Arrays oder Feldeffekttransistoren in Arrays sind eine Art diskretes Halbleiterprodukt. Sie fungieren als entscheidende Komponente in elektronischen Geräten und steuern das elektrische Verhalten der Geräte. Die Hauptfunktion eines FET-Arrays besteht darin, den Strom- und Spannungsfluss in einem Stromkreis zu regulieren und so einen effektiven Betrieb des Geräts zu ermöglichen. Jedes Array kann aus mehreren FETs bestehen und die Konfiguration kann speziell auf die Anforderungen einer bestimmten Anwendung zugeschnitten werden. Diese Produkte sind für spezifische Anwendungen wie Signalverarbeitung, Spannungsregelung, Signalverstärkung oder als Schaltgeräte konzipiert und tragen dazu bei, optimale Leistung und Effizienz zu gewährleisten.

FETs – Arrays werden häufig in einer Vielzahl von Branchen verwendet, von Aufgrund ihrer Zuverlässigkeit, hohen Eingangsimpedanz und geringen Rauscheigenschaften eignen sie sich für Unterhaltungselektronik und Kommunikationsgeräte bis hin zu erneuerbaren Energiesystemen und Automobilelektronik. Zu den größten Herstellern von FETs-Arrays gehören weltweit bekannte Halbleiterunternehmen wie Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies und NXP Semiconductors.

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MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 8A ECH8
 
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