FETs – Arrays

FETs – Arrays oder Feldeffekttransistoren in Arrays sind eine Art diskretes Halbleiterprodukt. Sie fungieren als entscheidende Komponente in elektronischen Geräten und steuern das elektrische Verhalten der Geräte. Die Hauptfunktion eines FET-Arrays besteht darin, den Strom- und Spannungsfluss in einem Stromkreis zu regulieren und so einen effektiven Betrieb des Geräts zu ermöglichen. Jedes Array kann aus mehreren FETs bestehen und die Konfiguration kann speziell auf die Anforderungen einer bestimmten Anwendung zugeschnitten werden. Diese Produkte sind für spezifische Anwendungen wie Signalverarbeitung, Spannungsregelung, Signalverstärkung oder als Schaltgeräte konzipiert und tragen dazu bei, optimale Leistung und Effizienz zu gewährleisten.

FETs – Arrays werden häufig in einer Vielzahl von Branchen verwendet, von Aufgrund ihrer Zuverlässigkeit, hohen Eingangsimpedanz und geringen Rauscheigenschaften eignen sie sich für Unterhaltungselektronik und Kommunikationsgeräte bis hin zu erneuerbaren Energiesystemen und Automobilelektronik. Zu den größten Herstellern von FETs-Arrays gehören weltweit bekannte Halbleiterunternehmen wie Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies und NXP Semiconductors.

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MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
 
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