FETs – Arrays

FETs – Arrays oder Feldeffekttransistoren in Arrays sind eine Art diskretes Halbleiterprodukt. Sie fungieren als entscheidende Komponente in elektronischen Geräten und steuern das elektrische Verhalten der Geräte. Die Hauptfunktion eines FET-Arrays besteht darin, den Strom- und Spannungsfluss in einem Stromkreis zu regulieren und so einen effektiven Betrieb des Geräts zu ermöglichen. Jedes Array kann aus mehreren FETs bestehen und die Konfiguration kann speziell auf die Anforderungen einer bestimmten Anwendung zugeschnitten werden. Diese Produkte sind für spezifische Anwendungen wie Signalverarbeitung, Spannungsregelung, Signalverstärkung oder als Schaltgeräte konzipiert und tragen dazu bei, optimale Leistung und Effizienz zu gewährleisten.

FETs – Arrays werden häufig in einer Vielzahl von Branchen verwendet, von Aufgrund ihrer Zuverlässigkeit, hohen Eingangsimpedanz und geringen Rauscheigenschaften eignen sie sich für Unterhaltungselektronik und Kommunikationsgeräte bis hin zu erneuerbaren Energiesystemen und Automobilelektronik. Zu den größten Herstellern von FETs-Arrays gehören weltweit bekannte Halbleiterunternehmen wie Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies und NXP Semiconductors.

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MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P
MOSFET N-CH 20V 280MA SOT963
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD
MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
 
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