FETs – Arrays

FETs – Arrays oder Feldeffekttransistoren in Arrays sind eine Art diskretes Halbleiterprodukt. Sie fungieren als entscheidende Komponente in elektronischen Geräten und steuern das elektrische Verhalten der Geräte. Die Hauptfunktion eines FET-Arrays besteht darin, den Strom- und Spannungsfluss in einem Stromkreis zu regulieren und so einen effektiven Betrieb des Geräts zu ermöglichen. Jedes Array kann aus mehreren FETs bestehen und die Konfiguration kann speziell auf die Anforderungen einer bestimmten Anwendung zugeschnitten werden. Diese Produkte sind für spezifische Anwendungen wie Signalverarbeitung, Spannungsregelung, Signalverstärkung oder als Schaltgeräte konzipiert und tragen dazu bei, optimale Leistung und Effizienz zu gewährleisten.

FETs – Arrays werden häufig in einer Vielzahl von Branchen verwendet, von Aufgrund ihrer Zuverlässigkeit, hohen Eingangsimpedanz und geringen Rauscheigenschaften eignen sie sich für Unterhaltungselektronik und Kommunikationsgeräte bis hin zu erneuerbaren Energiesystemen und Automobilelektronik. Zu den größten Herstellern von FETs-Arrays gehören weltweit bekannte Halbleiterunternehmen wie Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies und NXP Semiconductors.

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A ECH8
MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8
MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
 
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