Ein Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik weit verbreitet ist. Es kombiniert die einfachen Gate-Treibereigenschaften von MOSFETs mit der Hochstrom- und niedrigen Sättigungsspannungsfähigkeit von Bipolartransistoren. IGBTs werden hauptsächlich zum Schalten der elektrischen Energie in vielen modernen Geräten verwendet, von Elektroautos bis hin zu Klimaanlagen, bei denen eine effiziente Energieumwandlung von entscheidender Bedeutung ist. Sie werden wegen ihrer Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme mit relativ geringer Gate-Antriebsleistung zu bewältigen, bevorzugt.
Zu den Hauptanwendungen von IGBTs gehören Frequenzumrichter (VFDs), Motorsteuerungen für Elektrofahrzeuge und Wechselrichter für erneuerbare Energien , insbesondere in Solar- und Windkraftanlagen. Sie werden für ihre Effizienz geschätzt, die dazu beiträgt, die Wärmeentwicklung zu minimieren und die Zuverlässigkeit elektronischer Systeme zu erhöhen. Zu den Hauptmerkmalen gehören hohe Effizienz, Robustheit und die Fähigkeit, bei hohen Frequenzen zu arbeiten. Prominente Hersteller von IGBTs sind Infineon, Toshiba und Fuji Electric.