IGBT:t (Insulated-Gate Bipolar Transistors) – Ryhmät ovat tehopuolijohdelaitteita, jotka toimivat kriittisinä komponentteina useissa elektronisissa järjestelmissä. Näitä laitteita käytetään pääasiassa sähkötehon kytkemiseen ryhmäkokoonpanossa, mikä mahdollistaa korkean hyötysuhteen ja nopean kytkennän. IGBT:iden ainutlaatuinen rakenne mahdollistaa niiden yhdistämisen suurjännitteisten bipolaaristen transistorien ja MOSFETien edut, mikä tarjoaa alhaisen tehohäviön ja suuren kytkentänopeuden. Nämä laitteet soveltuvat erilaisiin sovelluksiin, kuten moottorikäyttöihin, virtalähteisiin ja uusiutuvan energian järjestelmiin. Ne on erityisesti suunniteltu käsittelemään merkittäviä tehotasoja ja kytkeytymään nopeasti päälle ja pois päältä, mikä tarjoaa korkeajännitteisen kyvyn ja parannetun energiatehokkuuden.
IGBT:t – ryhmillä on monia käyttötarkoituksia, koska niiden luontaiset ominaisuudet ovat korkea tuloimpedanssi, alhainen jännitehäviö ja nopeat kytkentäominaisuudet. Teollisissa sovelluksissa niitä käytetään usein muun muassa taajuusmuuttajakäytöissä, induktiivisessa lämmityksessä, magneettisessa levitaatiossa ja kiskovetossa. Joitakin tunnettuja IGBT-matriisivalmistajia ovat Infineon, Toshiba, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor ja Texas Instruments. IGBT:t – ryhmille on tunnusomaista niiden kestävyys, kestävyys ja tehokkuus, joten ne ovat välttämättömiä suuritehoisissa elektronisissa järjestelmissä.