トランジスタ - FET、MOSFET - RF

トランジスタ - FET、MOSFET - RF は、無線周波数 (RF) アプリケーションで一般的に見られる高周波信号を処理するように設計された特殊な電子部品です。これらのトランジスタは、電場を使用して半導体材料内の「チャネル」の形状、ひいては導電率を制御することによって動作し、電子信号を増幅したり切り替えたりすることができます。 RF MOSFET の主な機能は、数メガヘルツから数ギガヘルツの範囲の無線周波数スペクトルで動作するデバイスの信号を変調、増幅、および切り替えることです。スイッチング速度が速く、効率が高いため、無線通信、レーダー システム、放送送信機、RF パワー アンプに最適です。

これらのトランジスタは、電力損失を最小限に抑え、高周波で動作する能力が特徴です。入力インピーダンスが高いため、入力信号に対して非常に敏感になります。さらに、省電力が重要な RF アプリケーションでは極めて重要な高効率を実現します。 RF MOSFET の主な用途は、電気通信を含むさまざまな分野に及びます。電気通信では、セルラー通信や衛星通信、安全で信頼性の高い通信のための軍用機器、ラジオや GPS デバイスなどの家庭用電化製品、リモート センシングやテレメトリなどの産業用途を可能にする上で極めて重要です。トランジスタ - FET、MOSFET - RF の有名なメーカーには、Infineon、NXP Semiconductors、Cree (Wolfspeed)、Analog Devices Inc.、Qorvo などがあります。

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部品番号
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BLP9H10-30/SOT1483/REELDP
FET RF 40V 470MHZ TO272-8 WRAP
IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
BLC10G22XS-550AVT/SOT1258/REEL
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
FET RF NCH 170V 30MHZ M174
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
FET RF 65V 960MHZ TO-270-4
RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
FET RF 68V 2.39GHZ NI-88OS
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513
RF PWR MOSFET 450V TO-247
RF MOSFET N-CHANNEL 50V M113
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4
RF FET HEMT 150V 12DB SOT467C
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
 
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