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トランジスタ - FET、MOSFET - RF

トランジスタ - FET、MOSFET - RF は、無線周波数 (RF) アプリケーションで一般的に見られる高周波信号を処理するように設計された特殊な電子部品です。これらのトランジスタは、電場を使用して半導体材料内の「チャネル」の形状、ひいては導電率を制御することによって動作し、電子信号を増幅したり切り替えたりすることができます。 RF MOSFET の主な機能は、数メガヘルツから数ギガヘルツの範囲の無線周波数スペクトルで動作するデバイスの信号を変調、増幅、および切り替えることです。スイッチング速度が速く、効率が高いため、無線通信、レーダー システム、放送送信機、RF パワー アンプに最適です。

これらのトランジスタは、電力損失を最小限に抑え、高周波で動作する能力が特徴です。入力インピーダンスが高いため、入力信号に対して非常に敏感になります。さらに、省電力が重要な RF アプリケーションでは極めて重要な高効率を実現します。 RF MOSFET の主な用途は、電気通信を含むさまざまな分野に及びます。電気通信では、セルラー通信や衛星通信、安全で信頼性の高い通信のための軍用機器、ラジオや GPS デバイスなどの家庭用電化製品、リモート センシングやテレメトリなどの産業用途を可能にする上で極めて重要です。トランジスタ - FET、MOSFET - RF の有名なメーカーには、Infineon、NXP Semiconductors、Cree (Wolfspeed)、Analog Devices Inc.、Qorvo などがあります。

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部品番号
メーカー
説明
問い合わせ
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B
FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4
FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
FET RF 65V 1.88GHZ NI-780S
FET RF 68V 880MHZ TO-270-2
RF PWR MOSFET 80V 40A DIE
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S
FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C
TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16
IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2
FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS
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