トランジスタ - FET、MOSFET - RF

トランジスタ - FET、MOSFET - RF は、無線周波数 (RF) アプリケーションで一般的に見られる高周波信号を処理するように設計された特殊な電子部品です。これらのトランジスタは、電場を使用して半導体材料内の「チャネル」の形状、ひいては導電率を制御することによって動作し、電子信号を増幅したり切り替えたりすることができます。 RF MOSFET の主な機能は、数メガヘルツから数ギガヘルツの範囲の無線周波数スペクトルで動作するデバイスの信号を変調、増幅、および切り替えることです。スイッチング速度が速く、効率が高いため、無線通信、レーダー システム、放送送信機、RF パワー アンプに最適です。

これらのトランジスタは、電力損失を最小限に抑え、高周波で動作する能力が特徴です。入力インピーダンスが高いため、入力信号に対して非常に敏感になります。さらに、省電力が重要な RF アプリケーションでは極めて重要な高効率を実現します。 RF MOSFET の主な用途は、電気通信を含むさまざまな分野に及びます。電気通信では、セルラー通信や衛星通信、安全で信頼性の高い通信のための軍用機器、ラジオや GPS デバイスなどの家庭用電化製品、リモート センシングやテレメトリなどの産業用途を可能にする上で極めて重要です。トランジスタ - FET、MOSFET - RF の有名なメーカーには、Infineon、NXP Semiconductors、Cree (Wolfspeed)、Analog Devices Inc.、Qorvo などがあります。

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RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A
MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A
FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4
RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
JFET N-CH 20V 30MA SOT23
RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A
FET RF 110V 450MHZ TO-272-4
 
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