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Renesas Electronics America HSG1002VE-TL-E

제조사 부품 번호 : HSG1002VE-TL-E
제조사 : Renesas Electronics America
설명 : IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
무연 상태/RoHS 상태 : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : HSG1002VE-TL-E.PDF HSG1002VE-TL-E PDF
Download Datasheet : HSG1002VE-TL-E Details.PDF HSG1002VE-TL-E PDF
EDA / CAD Models : HSG1002VE-TL-E by SnapEDA
287 304 2111414 Renesas-Electronics-America/HSG1002VE-TL-E 2111414

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Technical Parameters of HSG1002VE-TL-E

Series:-
Transistor Type:NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):3.5V
Frequency - Transition:38GHz
Noise Figure (dB Typ @ f):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Gain:8dB ~ 19.5dB
Power - Max:200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max):35mA
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:4-SMD, Gull Wing
Supplier Device Package:4-MFPAK

제품 세부 정보

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