RF FET

무선 주파수 전계 효과 트랜지스터라고도 알려진 RF FET는 여러 현대 전자 장치에서 중추적인 역할을 하는 개별 반도체 장치의 일종입니다. 이는 전자 회로 내에서 스위치나 증폭기 역할을 하여 전기적 동작을 조절합니다. 전압을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 이러한 제품은 라디오 및 TV에서 필수 통신 장비에 이르기까지 다양한 장치의 기능에 필수적입니다. RF FET의 특성과 정밀도로 인해 Wi-Fi, 무선 통신 장치의 RF 전력 증폭기, 레이더 시스템, 위성 통신과 같은 고주파 애플리케이션에 특히 적합하며 원활하고 안정적인 전송을 보장합니다.

RF FET의 주요 특징은 우수한 전압 제어를 가능하게 하는 높은 입력 임피던스와 높은 전력 이득으로 인해 왜곡 없이 강한 신호 강도를 처리할 수 있는 능력을 포함합니다. NXP Semiconductors, Infineon Technologies, Qorvo와 같은 제조업체는 RF FET 생산 시장을 선도하고 있습니다.

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MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
RFQ
MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
RFQ
HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ
RFQ
TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ
RFQ
TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ
RFQ
TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ
RFQ
PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD
RFQ
PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD
RFQ
PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD
RFQ
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