Un tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT) este un dispozitiv semiconductor utilizat pe scară largă în electronica de putere. Acesta combină caracteristicile simple de acționare a porții ale MOSFET-urilor cu capacitatea de curent ridicat și tensiune de saturație scăzută a tranzistoarelor bipolare. IGBT-urile sunt utilizate în principal pentru a comuta puterea electrică în multe aparate moderne, de la mașini electrice la aparate de aer condiționat, unde conversia eficientă a energiei este crucială. Aceștia sunt favorizați pentru capacitatea lor de a gestiona tensiuni și curenți înalți cu o putere relativ scăzută de acționare a porții.
Principalele utilizări ale IGBT-urilor includ unități de frecvență variabilă (VFD), controlere de motoare pentru vehicule electrice și invertoare de energie regenerabilă. , în special în sistemele solare și eoliene. Sunt apreciate pentru eficiența lor, care ajută la minimizarea generării de căldură și la sporirea fiabilității sistemelor electronice. Caracteristicile cheie includ eficiență ridicată, robustețe și capacitatea de a opera la frecvențe înalte. Printre producătorii importanți de IGBT se numără Infineon, Toshiba și Fuji Electric.