Transistoren – IGBTs – Module sind fortschrittliche elektronische Komponenten, die zum effizienten Schalten und Verstärken elektrischer Energie in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden. Ein IGBT, was für Insulated Gate Bipolar Transistor steht, ist ein Leistungstransistortyp, der die Einfachheit eines Feldeffekttransistors (FET) mit der Hochstrom- und niedrigen Sättigungsspannungsfähigkeit eines Bipolartransistors kombiniert. Das IGBT-Modul ist eine integrierte Einheit, die den IGBT sowie Freilaufdioden umfasst, die für Leistung und Zuverlässigkeit erforderlich sind. Diese Module dienen hauptsächlich der effizienten Steuerung und Umwandlung elektrischer Energie in Elektrofahrzeugen, Industriemotoren, Stromnetzen und erneuerbaren Energiesystemen wie Wechselrichtern für Solarmodule.
Zu den Hauptmerkmalen von Transistoren – IGBTs – Modulen gehört ein hoher Wirkungsgrad , schnelle Schaltgeschwindigkeiten und die Fähigkeit, große Spannungen und Ströme zu bewältigen. Diese Eigenschaften machen sie von entscheidender Bedeutung für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz erfordern, beispielsweise in Elektroautos, wo sie die elektrische Energie zwischen der Batterie und dem Motor verwalten. Die hohe Schaltfrequenz ermöglicht zudem kompakte und leichte Bauformen der Leistungselektronik. Zu den renommierten Herstellern von Transistoren – IGBTs – Modulen gehören unter anderem Infineon Technologies, Fuji Electric, ON Semiconductor und Mitsubishi Electric.