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Infineon Technologies BG3130RE6327BTSA1

Fabricante Número de parte : BG3130RE6327BTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Estado libre de plomo/Estado RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : BG3130RE6327BTSA1.PDF BG3130RE6327BTSA1 PDF
EDA / CAD Models : BG3130RE6327BTSA1 by SnapEDA
Cantidad:
287 303 2109551 //media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Infineon%20PDFs/BG3130.pdf Infineon-Technologies/BG3130RE6327BTSA1 2109551

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Technical Parameters of BG3130RE6327BTSA1

Series:-
Transistor Type:2 N-Channel (Dual)
Frequency:800MHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):24dB
Frequency - Transition:5V
Gain:25mA
Noise Figure (dB Typ @ f):1.3dB
Voltage - Test:14mA
Current Rating:-
Noise Figure:8V
Power - Max:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current - Test:PG-SOT363-6

Detalles de producto

We can supply Infineon Technologies part# BG3130RE6327BTSA1, use el formulario de solicitud de cotización para solicitar BG3130RE6327BTSA1 Precio y tiempo de entrega. Nantian Electronics - ntchip.com es un distribuidor independiente de componentes electrónicos. Con más de 3 millones de elementos de línea de componentes electrónicos disponibles que se pueden enviar en un plazo breve, más de 300 000 números de pieza de componentes electrónicos en stock para entrega inmediata, que pueden incluir el número de pieza BG3130RE6327BTSA1. El precio y el tiempo de entrega de BG3130RE6327BTSA1 dependiendo de la cantidad requerida, disponibilidad y ubicación del almacén. Contáctenos hoy y nuestro representante de ventas le proporcionará el precio y la entrega en el n.º de pieza BG3130RE6327BTSA1. Esperamos hacer negocios con usted.

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