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Toshiba Semiconductor and Storage GT30J324(Q)

Fabricante Número de parte : GT30J324(Q)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Estado libre de plomo/Estado RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : GT30J324(Q).PDF GT30J324(Q) PDF
Download Datasheet : GT30J324(Q) Details.PDF GT30J324(Q) PDF
EDA / CAD Models : GT30J324(Q) by SnapEDA
Cantidad:
287 298 2101449 Toshiba-Semiconductor-and-Storage/GT30J324-Q 2101449

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Technical Parameters of GT30J324(Q)

Series:-
IGBT Type:-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):600V
Current - Collector (Ic) (Max):30A
Current - Collector Pulsed (Icm):60A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:2.45V @ 15V, 30A
Power - Max:170W
Switching Energy:1mJ (on), 800米J (off)
Input Type:Standard
Gate Charge:-
Td (on/off) @ 25~C:90ns/300ns
Test Condition:300V, 30A, 24 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr):60ns
Package / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type:Through Hole
Supplier Device Package:TO-3P(N)

Detalles de producto

We can supply Toshiba Semiconductor and Storage part# GT30J324(Q), use el formulario de solicitud de cotización para solicitar GT30J324(Q) Precio y tiempo de entrega. Nantian Electronics - ntchip.com es un distribuidor independiente de componentes electrónicos. Con más de 3 millones de elementos de línea de componentes electrónicos disponibles que se pueden enviar en un plazo breve, más de 300 000 números de pieza de componentes electrónicos en stock para entrega inmediata, que pueden incluir el número de pieza GT30J324(Q). El precio y el tiempo de entrega de GT30J324(Q) dependiendo de la cantidad requerida, disponibilidad y ubicación del almacén. Contáctenos hoy y nuestro representante de ventas le proporcionará el precio y la entrega en el n.º de pieza GT30J324(Q). Esperamos hacer negocios con usted.

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