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Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q)

Fabricante Número de parte : GT50J121(Q)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Estado libre de plomo/Estado RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : GT50J121(Q).PDF GT50J121(Q) PDF
Download Datasheet : GT50J121(Q) Details.PDF GT50J121(Q) PDF
EDA / CAD Models : GT50J121(Q) by SnapEDA
Cantidad:
287 298 2102509 Toshiba-Semiconductor-and-Storage/GT50J121-Q 2102509

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Technical Parameters of GT50J121(Q)

Series:-
IGBT Type:-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):600V
Current - Collector (Ic) (Max):50A
Current - Collector Pulsed (Icm):100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:2.45V @ 15V, 50A
Power - Max:240W
Switching Energy:1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Input Type:Standard
Gate Charge:-
Td (on/off) @ 25~C:90ns/300ns
Test Condition:300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr):-
Package / Case:TO-3PL
Mounting Type:Through Hole
Supplier Device Package:TO-3P(LH)

Detalles de producto

We can supply Toshiba Semiconductor and Storage part# GT50J121(Q), use el formulario de solicitud de cotización para solicitar GT50J121(Q) Precio y tiempo de entrega. Nantian Electronics - ntchip.com es un distribuidor independiente de componentes electrónicos. Con más de 3 millones de elementos de línea de componentes electrónicos disponibles que se pueden enviar en un plazo breve, más de 300 000 números de pieza de componentes electrónicos en stock para entrega inmediata, que pueden incluir el número de pieza GT50J121(Q). El precio y el tiempo de entrega de GT50J121(Q) dependiendo de la cantidad requerida, disponibilidad y ubicación del almacén. Contáctenos hoy y nuestro representante de ventas le proporcionará el precio y la entrega en el n.º de pieza GT50J121(Q). Esperamos hacer negocios con usted.

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