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Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)

Fabricante Número de parte : GT8G133(TE12L,Q)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Estado libre de plomo/Estado RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : GT8G133(TE12L,Q).PDF GT8G133(TE12L,Q) PDF
EDA / CAD Models : GT8G133(TE12L,Q) by SnapEDA
Cantidad:
287 298 2102508 //media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/GT8G133.pdf Toshiba-Semiconductor-and-Storage/GT8G133-TE12L-Q 2102508

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Technical Parameters of GT8G133(TE12L,Q)

Series:-
IGBT Type:-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):400V
Current - Collector (Ic) (Max):-
Current - Collector Pulsed (Icm):150A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:2.9V @ 4V, 150A
Power - Max:600mW
Switching Energy:-
Input Type:Standard
Gate Charge:-
Td (on/off) @ 25~C:1.7米s/2米s
Test Condition:-
Reverse Recovery Time (trr):-
Package / Case:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type:Surface Mount
Supplier Device Package:8-TSSOP

Detalles de producto

We can supply Toshiba Semiconductor and Storage part# GT8G133(TE12L,Q), use el formulario de solicitud de cotización para solicitar GT8G133(TE12L,Q) Precio y tiempo de entrega. Nantian Electronics - ntchip.com es un distribuidor independiente de componentes electrónicos. Con más de 3 millones de elementos de línea de componentes electrónicos disponibles que se pueden enviar en un plazo breve, más de 300 000 números de pieza de componentes electrónicos en stock para entrega inmediata, que pueden incluir el número de pieza GT8G133(TE12L,Q). El precio y el tiempo de entrega de GT8G133(TE12L,Q) dependiendo de la cantidad requerida, disponibilidad y ubicación del almacén. Contáctenos hoy y nuestro representante de ventas le proporcionará el precio y la entrega en el n.º de pieza GT8G133(TE12L,Q). Esperamos hacer negocios con usted.

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