IGBT (transistores bipolares de puerta aislada): las matrices son una gama de dispositivos semiconductores de potencia que sirven como componentes críticos en numerosos sistemas electrónicos. Estos dispositivos se utilizan principalmente para conmutar energía eléctrica en una configuración de matriz, lo que permite una alta eficiencia y una conmutación rápida. La estructura única de los IGBT les permite combinar los beneficios de los transistores bipolares de alto voltaje y los MOSFET, ofreciendo una baja pérdida de energía y una alta velocidad de conmutación. Estos dispositivos se prestan a diversas aplicaciones, incluidos motores, unidades de suministro de energía y sistemas de energía renovable, entre otros. Están diseñados específicamente para manejar niveles de potencia significativos y encenderse y apagarse rápidamente, ofreciendo capacidad de alto voltaje y eficiencia energética mejorada.

IGBT: los conjuntos tienen diversos usos, dadas sus características inherentes de alta impedancia de entrada, baja caída de voltaje en estado encendido y capacidades de conmutación rápida. En el ámbito de las aplicaciones industriales, se emplean frecuentemente en variadores de frecuencia, calentamiento inductivo, levitación magnética y tracción ferroviaria, entre otros usos. Algunos fabricantes destacados de IGBT - Arrays incluyen Infineon, Toshiba, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor y Texas Instruments. IGBT: los conjuntos se caracterizan por su robustez, durabilidad y eficacia, lo que los hace indispensables para sistemas electrónicos de alta potencia.