IGBT: transistores bipolares de puerta aislada simple o simple, son un tipo de dispositivo electrónico de potencia que se usa comúnmente en muchos tipos de equipos electrónicos. Estos semiconductores discretos sirven como un componente crucial en aplicaciones de conmutación, donde pueden activar o desactivar el flujo de corriente eléctrica. Su función principal es controlar la energía eléctrica combinando las características simples de accionamiento de puerta de los MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico) con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación de los transistores bipolares. Debido a su estructura única, exhiben una alta impedancia de entrada, fácil manejo, rápida velocidad de conmutación y robustez, entre otras características.
Los IGBT individuales son particularmente adecuados para aplicaciones que requieren alto voltaje y alta corriente, como como unidades de suministro de energía, inversores en acondicionadores de aire y accionamientos de motores eléctricos. Estos dispositivos también se pueden encontrar en otras aplicaciones específicas como sistemas de energía renovable, vehículos eléctricos y trenes. Las principales características de los IGBT individuales incluyen alta eficiencia, excelente rendimiento térmico y la capacidad de trabajar a altas frecuencias. Varios fabricantes, como Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics y Toshiba, se especializan en la producción de IGBT individuales y ofrecen una amplia gama de opciones para cumplir con diversas especificaciones y requisitos operativos.