General Semiconductor/Vishay

GeneSiC Semiconductor è uno dei principali innovatori nel mondo dei semiconduttori di potenza basati sul carburo di silicio (SiC). L'azienda è stata fondata nel 2004 e ha sede a Fairfax, Virginia, USA. La fondazione dell'azienda ha rappresentato una pietra miliare significativa nel settore tecnologico, inaugurando l'era dei semiconduttori a base di carburo di silicio che da allora hanno rivoluzionato numerosi settori con le loro caratteristiche prestazionali superiori rispetto ai tradizionali semiconduttori in silicio.

Alla sua nascita, GeneSiC Semiconductor si è concentrata sulla creazione di semiconduttori di potenza di alta qualità, affidabili e tecnologicamente avanzati. Nel corso degli anni l’azienda ha ampliato notevolmente il proprio portafoglio prodotti. Ora offre una vasta gamma di dispositivi tra cui diodi Schottky, tiristori e raddrizzatori controllati al silicio (SCR). Ognuna di queste categorie di prodotti rappresenta le ultime novità nella tecnologia dei semiconduttori, progettata per soddisfare le esigenze in evoluzione del settore dell'elettronica di potenza. Dalle applicazioni aerospaziali alle energie rinnovabili, le soluzioni GeneSiC sono progettate dinamicamente per fornire risultati eccezionali in vari campi.

• Diodi Schottky: sono noti per la loro elevata efficienza e la commutazione rapida velocità. Sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni di alimentazione e conversione.
• Tiristori: i tiristori sono interruttori a semiconduttore rinomati per la loro capacità di gestire livelli di tensione e corrente elevati. Trovano il loro utilizzo in un'ampia varietà di applicazioni di elettronica di potenza.
• Raddrizzatori controllati al silicio (SCR): gli SCR sono dispositivi PNPN a tre giunzioni utilizzati principalmente per il controllo e la rettifica dell'alimentazione. Sono utilizzati prevalentemente nei sistemi di controllo motore e di commutazione di potenza.