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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247

Produttore Numero parte : GA10JT12-247
Produttore : GeneSiC Semiconductor
Descrizione : TRANS SJT 1.2KV 10A
Stato senza piombo / Stato RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : GA10JT12-247.PDF GA10JT12-247 PDF
EDA / CAD Models : GA10JT12-247 by SnapEDA
Quantità:
287 309 2198328 http://www.genesicsemi.com/images/products_sic/sjt/GA10JT12-247.pdf GeneSiC-Semiconductor/GA10JT12-247 2198328

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Technical Parameters of GA10JT12-247

Series:-
Diode Configuration:Silicon Carbide, Normally Off
Diode Type:Super Junction
FET Type:1200V (1.2kV)
IGBT Type:10A (Tc)
Structure:140 mOhm @ 10A
Transistor Type:-
Triac Type:-
Type:-
Voltage:170W
Voltage - Breakover:175~C (TJ)
Voltage - Off State:Through Hole
Voltage - Zener (Nom) (Vz):TO-247-3

Dettagli del prodotto

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