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IXYS IXFH320N10T2

Produttore Numero parte : IXFH320N10T2
Produttore : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : IXFH320N10T2.PDF IXFH320N10T2 PDF
EDA / CAD Models : IXFH320N10T2 by SnapEDA
Quantità:
287 309 2198251 //media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/IXYS%20PDFs/IXF(T,H)320N10T2.pdf IXYS/IXFH320N10T2 2198251

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Technical Parameters of IXFH320N10T2

Series:HiPerFET?, TrenchT2?
Diode Configuration:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Diode Type:Standard
FET Type:100V
IGBT Type:320A (Tc)
Structure:3.5 mOhm @ 100A, 10V
Transistor Type:4V @ 250米A
Triac Type:430nC @ 10V
Type:26000pF @ 25V
Voltage:1000W
Voltage - Breakover:-55~C ~ 175~C (TJ)
Voltage - Off State:Through Hole
Voltage - Zener (Nom) (Vz):TO-247-3

Dettagli del prodotto

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