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Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291(TE85L,F)

Produttore Numero parte : 3SK291(TE85L,F)
Produttore : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH SMQ
Stato senza piombo / Stato RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : 3SK291(TE85L,F).PDF 3SK291(TE85L,F) PDF
Download Datasheet : 3SK291(TE85L,F) Details.PDF 3SK291(TE85L,F) PDF
EDA / CAD Models : 3SK291(TE85L,F) by SnapEDA
Quantità:
287 309 2204223 Toshiba-Semiconductor-and-Storage/3SK291-TE85L-F 2204223

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Technical Parameters of 3SK291(TE85L,F)

Series:-
Diode Configuration:N-Channel Dual Gate
Diode Type:800MHz
FET Type:6V
IGBT Type:30mA
Structure:22.5dB
Transistor Type:2.5dB
Triac Type:10mA
Type:-
Voltage:12.5V
Voltage - Breakover:SC-61AA
Voltage - Off State:SMQ
Voltage - Zener (Nom) (Vz):

Dettagli del prodotto

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