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Vishay Siliconix SI7170DP-T1-GE3

Produttore Numero parte : SI7170DP-T1-GE3
Produttore : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : SI7170DP-T1-GE3.PDF SI7170DP-T1-GE3 PDF
EDA / CAD Models : SI7170DP-T1-GE3 by SnapEDA
Quantità:
287 295 2079326 http://www.vishay.com/docs/69981/si7170dp.pdf Vishay-Siliconix/SI7170DP-T1-GE3 2079326

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Technical Parameters of SI7170DP-T1-GE3

Series:TrenchFET?
FET Type:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:2.6V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:4355pF @ 15V
Power - Max:48W
Operating Temperature:-55~C ~ 150~C (TJ)
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:PowerPAK? SO-8
Supplier Device Package:PowerPAK? SO-8

Dettagli del prodotto

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