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Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-GE3

Produttore Numero parte : SI9926BDY-T1-GE3
Produttore : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : SI9926BDY-T1-GE3.PDF SI9926BDY-T1-GE3 PDF
EDA / CAD Models : SI9926BDY-T1-GE3 by SnapEDA
Quantità:
287 294 1626542 http://www.vishay.com/docs/72278/si9926bd.pdf Vishay-Siliconix/SI9926BDY-T1-GE3 1626542

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Technical Parameters of SI9926BDY-T1-GE3

Series:TrenchFET?
FET Type:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss):20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:1.5V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:-
Power - Max:1.14W
Operating Temperature:-55~C ~ 150~C (TJ)
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package:8-SO

Dettagli del prodotto

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