IGBT (transistor bipolari a gate isolato): gli array sono una gamma di dispositivi a semiconduttore di potenza che fungono da componenti critici in numerosi sistemi elettronici. Questi dispositivi vengono utilizzati principalmente per commutare l'energia elettrica in una configurazione ad array, consentendo un'elevata efficienza e una commutazione rapida. La struttura unica degli IGBT consente loro di combinare i vantaggi dei transistor bipolari e dei MOSFET ad alta tensione, offrendo una bassa perdita di potenza e un'elevata velocità di commutazione. Questi dispositivi si prestano a varie applicazioni tra cui azionamenti di motori, unità di alimentazione e sistemi di energia rinnovabile, tra gli altri. Sono progettati specificamente per gestire livelli di potenza significativi e accendersi e spegnersi efficacemente rapidamente, offrendo capacità di alta tensione e migliore efficienza energetica.

IGBT: gli array hanno usi diversi, date le loro caratteristiche intrinseche di elevata impedenza di ingresso, bassa caduta di tensione nello stato on e capacità di commutazione rapida. Nel campo delle applicazioni industriali, vengono spesso impiegati, tra gli altri usi, in azionamenti a frequenza variabile, riscaldamento induttivo, levitazione magnetica e trazione ferroviaria. Alcuni importanti produttori di array IGBT includono Infineon, Toshiba, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor e Texas Instruments. IGBT: gli array sono caratterizzati da robustezza, durata ed efficacia, che li rendono indispensabili per i sistemi elettronici ad alta potenza.