トランジスタ - FET、MOSFET - RF

トランジスタ - FET、MOSFET - RF は、無線周波数 (RF) アプリケーションで一般的に見られる高周波信号を処理するように設計された特殊な電子部品です。これらのトランジスタは、電場を使用して半導体材料内の「チャネル」の形状、ひいては導電率を制御することによって動作し、電子信号を増幅したり切り替えたりすることができます。 RF MOSFET の主な機能は、数メガヘルツから数ギガヘルツの範囲の無線周波数スペクトルで動作するデバイスの信号を変調、増幅、および切り替えることです。スイッチング速度が速く、効率が高いため、無線通信、レーダー システム、放送送信機、RF パワー アンプに最適です。

これらのトランジスタは、電力損失を最小限に抑え、高周波で動作する能力が特徴です。入力インピーダンスが高いため、入力信号に対して非常に敏感になります。さらに、省電力が重要な RF アプリケーションでは極めて重要な高効率を実現します。 RF MOSFET の主な用途は、電気通信を含むさまざまな分野に及びます。電気通信では、セルラー通信や衛星通信、安全で信頼性の高い通信のための軍用機器、ラジオや GPS デバイスなどの家庭用電化製品、リモート センシングやテレメトリなどの産業用途を可能にする上で極めて重要です。トランジスタ - FET、MOSFET - RF の有名なメーカーには、Infineon、NXP Semiconductors、Cree (Wolfspeed)、Analog Devices Inc.、Qorvo などがあります。

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RF MOSFET N-CHANNEL DE275
RF FET LDMOS 65V 18.7DB SOT502B
BLC10G18XS-550AVT/SOT1258/TRAY
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
RF MOSFET HEMT 40V 440210
TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V
RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B
FET RF 65V 465MHZ TO-272-4
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
RF MOSFET LDMOS SOT1462-1
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
FET RF 65V 960MHZ NI-780
RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231
FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z
FET RF 110V 450MHZ TO-270-4
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
 
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