トランジスタ - FET、MOSFET - RF

トランジスタ - FET、MOSFET - RF は、無線周波数 (RF) アプリケーションで一般的に見られる高周波信号を処理するように設計された特殊な電子部品です。これらのトランジスタは、電場を使用して半導体材料内の「チャネル」の形状、ひいては導電率を制御することによって動作し、電子信号を増幅したり切り替えたりすることができます。 RF MOSFET の主な機能は、数メガヘルツから数ギガヘルツの範囲の無線周波数スペクトルで動作するデバイスの信号を変調、増幅、および切り替えることです。スイッチング速度が速く、効率が高いため、無線通信、レーダー システム、放送送信機、RF パワー アンプに最適です。

これらのトランジスタは、電力損失を最小限に抑え、高周波で動作する能力が特徴です。入力インピーダンスが高いため、入力信号に対して非常に敏感になります。さらに、省電力が重要な RF アプリケーションでは極めて重要な高効率を実現します。 RF MOSFET の主な用途は、電気通信を含むさまざまな分野に及びます。電気通信では、セルラー通信や衛星通信、安全で信頼性の高い通信のための軍用機器、ラジオや GPS デバイスなどの家庭用電化製品、リモート センシングやテレメトリなどの産業用途を可能にする上で極めて重要です。トランジスタ - FET、MOSFET - RF の有名なメーカーには、Infineon、NXP Semiconductors、Cree (Wolfspeed)、Analog Devices Inc.、Qorvo などがあります。

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FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4
RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B
RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI-1230
RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B
RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608A
FET RF 70V 960MHZ NI-880H
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B
 
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