トランジスタ - FET、MOSFET - RF

トランジスタ - FET、MOSFET - RF は、無線周波数 (RF) アプリケーションで一般的に見られる高周波信号を処理するように設計された特殊な電子部品です。これらのトランジスタは、電場を使用して半導体材料内の「チャネル」の形状、ひいては導電率を制御することによって動作し、電子信号を増幅したり切り替えたりすることができます。 RF MOSFET の主な機能は、数メガヘルツから数ギガヘルツの範囲の無線周波数スペクトルで動作するデバイスの信号を変調、増幅、および切り替えることです。スイッチング速度が速く、効率が高いため、無線通信、レーダー システム、放送送信機、RF パワー アンプに最適です。

これらのトランジスタは、電力損失を最小限に抑え、高周波で動作する能力が特徴です。入力インピーダンスが高いため、入力信号に対して非常に敏感になります。さらに、省電力が重要な RF アプリケーションでは極めて重要な高効率を実現します。 RF MOSFET の主な用途は、電気通信を含むさまざまな分野に及びます。電気通信では、セルラー通信や衛星通信、安全で信頼性の高い通信のための軍用機器、ラジオや GPS デバイスなどの家庭用電化製品、リモート センシングやテレメトリなどの産業用途を可能にする上で極めて重要です。トランジスタ - FET、MOSFET - RF の有名なメーカーには、Infineon、NXP Semiconductors、Cree (Wolfspeed)、Analog Devices Inc.、Qorvo などがあります。

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FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230
FET RF 65V 880MHZ NI-1230
TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A
RF LDMOS FET 630W, 920 - 960MHZ
IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H
RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
 
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