FETs de RF

FETs de RF, também conhecidos como transistores de efeito de campo de radiofrequência, são um tipo de dispositivo semicondutor discreto que desempenha um papel fundamental em vários eletrônicos modernos. Eles atuam como um interruptor ou amplificador dentro de circuitos eletrônicos, regulando o comportamento elétrico. Esses produtos, que utilizam tensão para controlar o fluxo de corrente, são essenciais para o funcionamento de dispositivos que vão desde rádios e televisões até equipamentos essenciais de telecomunicações. A natureza e a precisão dos FETs de RF os tornam especificamente adequados para aplicações de alta frequência, como Wi-Fi, amplificadores de potência de RF em dispositivos de comunicação sem fio, sistemas de radar e comunicações por satélite, onde garantem uma transmissão contínua e estável.

As principais características dos FETs de RF incluem sua alta impedância de entrada, que permite excelente controle de tensão, e sua capacidade de lidar com sinais fortes sem distorção, graças ao seu alto ganho de potência. Fabricantes como NXP Semiconductors, Infineon Technologies e Qorvo estão liderando o mercado na produção de RF FET.

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MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RFQ
MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R
RFQ
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
RFQ
MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
RFQ
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
RFQ
HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ
RFQ
TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ
RFQ
TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ
RFQ
TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ
RFQ
PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD
RFQ
PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD
RFQ
PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD
RFQ
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