FETs de RF

FETs de RF, também conhecidos como transistores de efeito de campo de radiofrequência, são um tipo de dispositivo semicondutor discreto que desempenha um papel fundamental em vários eletrônicos modernos. Eles atuam como um interruptor ou amplificador dentro de circuitos eletrônicos, regulando o comportamento elétrico. Esses produtos, que utilizam tensão para controlar o fluxo de corrente, são essenciais para o funcionamento de dispositivos que vão desde rádios e televisões até equipamentos essenciais de telecomunicações. A natureza e a precisão dos FETs de RF os tornam especificamente adequados para aplicações de alta frequência, como Wi-Fi, amplificadores de potência de RF em dispositivos de comunicação sem fio, sistemas de radar e comunicações por satélite, onde garantem uma transmissão contínua e estável.

As principais características dos FETs de RF incluem sua alta impedância de entrada, que permite excelente controle de tensão, e sua capacidade de lidar com sinais fortes sem distorção, graças ao seu alto ganho de potência. Fabricantes como NXP Semiconductors, Infineon Technologies e Qorvo estão liderando o mercado na produção de RF FET.

Imagem
Número da peça
Fabricante
Descrição
Investigação
FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.4GHZ
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.4GHZ
RFQ
FET RF 104V 957.5MHZ
RFQ
FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG
RFQ
FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780-4
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4
RFQ
FET RF 89V 1.4GHZ
RFQ
FET RF 89V 1.4GHZ
RFQ
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.7GHZ SOT1121A
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ SOT1121A
RFQ
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.7GHZ SOT1121A
RFQ
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ SOT1121A
RFQ
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
RFQ
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