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Infineon Technologies BG3430RH6327XTSA1

Produttore Numero parte : BG3430RH6327XTSA1
Produttore : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : BG3430RH6327XTSA1.PDF BG3430RH6327XTSA1 PDF
Download Datasheet : BG3430RH6327XTSA1 Details.PDF BG3430RH6327XTSA1 PDF
EDA / CAD Models : BG3430RH6327XTSA1 by SnapEDA
Quantità:
287 303 2109657 http://www.infineon.com/dgdl/bg3430r.pdf?folderId=db3a30431400ef68011426e80dd80693&fileId=db3a30431400ef68011426e938d50694 Infineon-Technologies/BG3430RH6327XTSA1 2109657

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Technical Parameters of BG3430RH6327XTSA1

Series:-
Transistor Type:2 N-Channel (Dual)
Frequency:800MHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):25dB
Frequency - Transition:5V
Gain:25mA
Noise Figure (dB Typ @ f):1.3dB
Voltage - Test:14mA
Current Rating:-
Noise Figure:8V
Power - Max:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current - Test:PG-SOT363-6

Dettagli del prodotto

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